项目简介：本发明采用E类功率放大电路构建射频功率放大电路，通过选择合适的器件参数使得MOS管的漏极电压和电流不同时出现，可获得100%的效率；与现有技术相比，本发明可以在不改变输出功率的前提下获得高达90%的效率，故发热量小，性能更为可靠。本发明采用单个MOS管，实施应用能够缩小国内集成电路设备水平与国际先进水平的差距，增强国家核心科技水平和国际竞争力，具有显著的社会效益。
